【国内论文】台湾成功大学研究团队对带有氧化铟镓电流阻断层、银纳米颗粒和氧化镓表面钝化层的氮化镓/氮化铟镓基发光二极管的研究

        近日，由成功大学的研究团队在科学期刊《ECS Journal of Solid State Science and Technology》中发布了一篇名为Study of a GaN/InGaN-based Light Emitting Diode with an Indium Gallium Oxide Current Blocking Layer, Silver Nanoparticles, and a Gallium Oxide Surface Passivation Layer（带有氧化铟镓电流阻断层、银纳米颗粒和氧化镓表面钝化层的氮化镓/氮化铟镓基发光二极管的研究）的论文文章。

内容摘要

        本文提出并制造了一种有意思的GaN/InGaN基发光二极体 (LED) 结构，其中包括银 (Ag) 纳米粒子 (NPs)、氧化铟镓 (IGO) 阻流层 (CBL) 和氧化镓 (Ga₂O₃) 表面钝化层 (SPL)。基于所设计的结构，可以显著增强光的抽取特性和电流分布属性，并显著减少表面泄漏电流。在本研究中，当注入电流为400 mA时，与传统LED设备相比，研究中的Device D (带有Ag NPs、30 nm厚的IGO CBL和50 nm厚的Ga₂O₃ SPL)在光输出功率 (LOP) 上的改进为20.4%。此外，所研究的Device D在远场辐射上也显示出增强的性能。因此，所提议的结构为制造高效GaN/InGaN基LED提供了可靠的解决方案。

原文链接：https://doi.org/10.1149/2162-8777/acf5a0