【国内论文】扬州大学研究团队对高剂量 80 MeV 质子辐照对 β-Ga₂O₃ 电子结构和光致发光的影响

        由扬州大学的研究团队在学术平台《Journal of Electronic Materials》中发表了一篇名为Influence of High-Dose 80 MeV Proton Irradiation on the Electronic Structure and Photoluminescence of β-Ga₂O₃ (高剂量 80 MeV 质子辐照对 β-Ga₂O₃ 电子结构和光致发光的影响)的文章。

内容摘要

        β-Ga₂O₃被认为是应用于深空探测的最佳材料之一，因此，研究与 β-Ga₂O₃相关的辐射损伤对于在恶劣环境中使用器件是非常必要的。本研究探索了 80 MeV 高能质子辐照对 4 × 10¹³ cm^-2 和 1 × 10¹⁴ cm^-2 β-Ga₂O₃ 单晶的影响。X 射线光电子能谱（XPS）和紫外光电子能谱（UPS）测量结果表明，质子辐照前，由于存在原生氧和镓空位缺陷，费米级被钉在中隙能级上。质子辐照后，镓和氧空位随着辐照通量的增加而增加，导致β-Ga₂O₃带隙减小。在 80 MeV 的质子辐照下，β-Ga₂O₃ 更容易产生氧空位；因此，费米级上移至导带。此外，3.29 eV 处的紫外光发光发射随辐照通量的增加而大大增强。这些结果将有助于紫外器件的设计。

原文链接：https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-023-10687-1