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【产业新闻】政府加大对氧化镓的关注,产业化布局如火如荼!

日期:2023-11-24阅读:280

北京市促进未来产业创新发展实施方案

        9月8日,北京市人民政府办公厅印发《北京市促进未来产业创新发展实施方案》,面向前沿新材料需求,在海淀、房山、顺义、大兴、经开区等区域,重点发展石墨烯材料、超导材料、超宽禁带半导体材料、新一代生物医用材料等细分产业。面向未来太空探索需求,在海淀、丰台、石景山、大兴、经开区等区域,重点发展商业航天、卫星网络等细分产业。

        到2030年,形成一批颠覆性技术和重大原创成果,构建一批应用场景、中试平台和技术标准,培育一批行业领军企业、独角兽企业,建设一批创新中心和创新联盟,培养引进一批战略科学家、产业领军人才、产业经理人和卓越工程师。

        其中明确指出在第二大项中,第五方面有提到氧化镓,以下是文章正文相关部分:

二、面向六大领域,打造未来产业策源高地

(五)未来材料

        面向前沿新材料需求,在海淀、房山、顺义、大兴、经开区等区域,重点发展石墨烯材料、超导材料、超宽禁带半导体材料、新一代生物医用材料等细分产业。

        15.石墨烯材料。推进石墨烯柔性电子器件制造、光电子探测、射频、电磁屏蔽等关键技术和石墨烯高性能制备、石墨烯复合材料制备应用等共性技术的突破。发展石墨烯医疗器械以及石墨烯材料在药物及基因传递、生物成像、电化学传感器、肿瘤光热治疗等领域应用的关键技术,推动石墨烯在电子信息、医疗健康、新能源、航空航天、节能环保、现代农业和石油化工领域的规模化应用。

        16.超导材料。实现高性能超导线材结构设计及批量化加工控制技术突破,推动超导磁体在加速器、单晶硅制造等领域的推广应用。实现低成本铋系高温超导带材和钇钡铜氧(YBCO)涂层导体的前驱体制备、织构化技术突破,推动低成本千米级涂层导体推广应用。实现高容量超导电缆和高电压等级超导限流器的电磁设计、超高压绝缘、装配结构与挂网运行等关键技术突破,推动超导电缆和超导限流器规模化示范应用。

        17.超宽禁带半导体材料。加大以氧化镓为代表的超宽禁带(第四代)半导体材料制备技术研发攻关力度,重点突破单晶生长、切割打磨、同质外延及载流子调控等关键技术,推动氧化镓材料在光伏、风电、工业电源功率逆变器、新能源汽车车规级功率器件等领域和方向的应用。

        18.新一代生物医用材料。发展新型骨科、口腔和心脑血管等方面的修复与材料制造技术,研制出新一代骨植入材料、牙齿修复材料、人造血管和人工心脏系统,开发具有调控干细胞功能、诱导定向分化、可控因子释放性能的组织器官再生生物活性材料,实现骨、皮肤、血液、神经、肌肉等组织器官再生修复。

 

关于印发《云南省能源电子产业发展实施方案(2023—2025年)》的通知

专栏4 能源电子关键信息产品和技术

        半导体材料。大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓等新型半导体材料,积极发展电子级多晶硅及硅片制造,加快高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产。

        发光二极管。发展LED半导体照明衬底片和LED半导体照明灯具,引进LED半导体照明外延片等关键技术。

        智能机器人。发挥好云南省机器视觉、工业机器人视觉传感器等产业基础,积极发展面向电力电子、智能工厂、电网智能调度等需求的新型视觉智能机器人和相关控制、测量、检测系统。

        云计算和大数据。加快云计算和大数据服务能力建设,促进云计算和大数据产业发展,进一步加快“数字云南”建设,积极融入国家一体化大数据中心体系。加快应用云计算平台大规模资源管理与调度、运行监控与安全保障、多云管理等关键技术,依托现有大数据中心,不断提升能源电子领域的云服务解决方案,打造特色鲜明的云计算和大数据产业基地。

        数据监测与运行分析系统。支持研发和推广光伏电站生产运维一体化管理平台搭建,融合智能巡检、数据统计分析、生产与计划管理、培训教学、安全管理、结算、综合服务等,实现电站管理系统的集控与大数据汇总分析。

 

湖北省政府印发《加快“世界光谷”建设行动计划》

        三、聚焦光电子信息核心,打造世界级新兴产业引领地

        聚焦国家战略、前沿方向和市场需求,突出产业生态和赛道思维,聚焦“光”领域,巩固和发挥光通信、激光等光电子核心领域领先优势,以芯片为重点突破口,以点带面完善细分产业链条、形成产业板块,着力提升产业链供应链安全性、稳定性和竞争力,前瞻谋划、加快布局硅光一体化、光电一体化等前沿领域和未来产业新赛道,鼓励探索未知性、突破性的领域和方向,打造全球一流、充分掌握国际话语权的光电子信息产业链条,形成优势突出、内生迭代的世界级产业集群矩阵。

(一)勇攀高峰,推动光电子信息核心领域率先突破。

        紧跟全球光电子产业发展趋势,充分发挥东湖高新区技术领先优势,保持战略定力,以芯片为核心,重点发力存储器芯片、三维集成、化合物半导体、硅光芯片等领域,加强产业关键核心环节重大技术突破与原始创新,推动优势领域率先突围。

        存储器芯片、三维集成、化合物半导体和硅光芯片。以国家存储器基地为重点发展存储器芯片,加速关键设备、基础原材料、核心零部件国产替代进程,逐步建立自主可控的产业链、供应链体系,促进国内半导体制造水平整体提升,加快建设“世界存储之都”;以三维集成为基础布局车规级芯片、传感芯片等领域,突破先进制程,构筑三维集成全球制造高地;加快布局氧化镓、碳化硅等新一代半导体,推动创新链与产业链协同发展,打造全球化合物半导体创新中心;发挥硅基半导体和光电子核心优势,超前布局硅光芯片,抢占硅光一体化、光电一体化等新赛道,打造国际领先的硅光芯片创新平台。