【国际论文】带隙为 4.9 eV 的Sn掺杂 n 型非晶氧化镓半导体

      近期，由韩国航空航天大学组成的研究团队在学术期刊《Materials Science in Semiconductor Processing》中发表了一篇名为Sn-doped n-type amorphous gallium oxide semiconductor with energy bandgap of 4.9 eV（带隙为 4.9 eV 的Sn掺杂 n 型非晶氧化镓半导体）的文章。

内容摘要

      采用锡（Sn）掺杂的自旋玻璃(SOG)方法，在400°C、氩气氛中经过1小时的推入过程，形成了带隙为4.9 eV的n型非晶氧化镓（Ga₂O₃）薄膜。扩散的锡掺杂剂有效地影响了非晶Ga₂O₃薄膜的电流增强。带有锡掺杂的非晶Ga₂O₃通道层的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）表现出典型的n型特性和表现良好的晶体管特性，呈现出两个明显的操作区域：线性和饱和。通过使用低温沉积方法，可以制备带隙为4.9eV、与各种基底高度兼容的n型非晶Ga₂O₃薄膜。此外，实现了非晶Ga₂O₃薄膜中的超浅结构形成，有利于高性能器件的应用。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107922