【国际论文】通过单晶 β-Ga₂O₃ 薄膜的单畴外延和定制抗反射涂层提高紫外 C 光电探测器的性能

        近期，由韩国首尔大学的研究团队在科学期刊《Small Methods》中发表了一篇名为Enhancing Performance of Ultraviolet C Photodetectors Through Single-Domain Epitaxy of Monoclinic β-Ga₂O₃ Films and Tailored Anti-Reflection Coating（通过单晶β-Ga₂O₃ 薄膜的单畴外延和定制抗反射涂层提高紫外 C 光电探测器的性能）的文章。

内容摘要

        由于外延薄膜和衬底之间晶体对称性的各向异性，实现基于β-Ga₂O₃薄膜的高性能紫外C光电探测器（UVC PDs）具有一定挑战。本研究通过在六角蓝宝石衬底上单畴生长单斜晶β-Ga₂O₃薄膜，实现了高度增强的最先进的光电性能。与具有双生长领域的3D β-Ga₂O₃薄膜不同，2D β-Ga₂O₃薄膜表现为具有光滑表面和低点缺陷浓度的单个领域，通过抑制边界诱导的复合作用来实现高效电荷分离。此外，采用定制的防反射涂层(ARC)作为光吸收介质以提高电荷产生。具有梯度折射率特性的定制纳米结构不仅大幅减少了反射，还作为缓和层抑制了表面泄漏电流。本研究为β-Ga₂O₃薄膜的单畴外延生长和ARC应用提供了基本见解，以开发高性能的UVC PDs。

原文链接：https://doi.org/10.1002/smtd.202300933