【国内论文】香港科技大学黄文海副教授新进展——β-Ga₂O₃肖特基功率二极管的技术现状

        由香港科技大学的黄文海老师在期刊《Journal of Semiconductors》中发表了一篇名为A landscape of β-Ga₂O₃ Schottky power diodes（β-Ga₂O₃肖特基功率二极管的技术现状）的文章。

摘要

        β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管在功率电子应用的研究和开发中经历了快速的进展。本文回顾了最新的β-Ga₂O₃整流器技术，包括通过降低表面场效应实现的低反向漏电流的先进二极管架构。为不同的设备总结了包括导通电阻、击穿电压、整流比、动态开关和非理想效应在内的特性设备属性。此外，还介绍了β-Ga₂O₃肖特基二极管在高温下的出色性能，以及使其可能的热封装解决方案。

图 1. (a) 首个场板β-Ga₂O₃ SBD 的示意图。(b) 器件的正向电流-电压 (I-V) 特性。(c) 器件的反向击穿特性。

图2.  (a) 带有超高介电常数场板介质的β-Ga₂O₃ SBD示意图，其中S1对应于作为场板氧化物的15周期BaTiO₃/SrTiO₃超晶格[(BTO/STO)₁₅ FP]，S2对应于作为场板氧化物的BaTiO₃ (BTO FP)。横截面的透射电子显微镜图像描述了S1结构的场板区域。(b) 带有(BTO/STO)15 FP的β-Ga₂O₃ SBD的正向I-V特性和微分R_ON,sp，带有BTO FP的β-Ga₂O₃ SBD以及没有场板的参考SBD。(c) 三种不同SBD结构的反向击穿特性。