【国际论文】硅掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜中的表面二维空穴气体

        近期，由法国巴黎萨克雷大学为主导和其他机构组成的研究团队在科学期刊《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》中发表了一篇名为Surface Two-Dimensional Hole Gas in Si doped β-Ga₂O₃ Thin Film（硅掺杂β-Ga₂O₃ 薄膜中的表面二维空穴气体）的文章。

摘要

        尽管在许多半导体表面实现了二维电子气，但二维空穴气体（2DHG）的例子仍然非常有限。此外，由于潜在杂质的深能级性质，迄今为止实现受主P型β-Ga₂O₃的仍然是一项众所周知的挑战。在此工作中，我们报告了一种特殊的p-type 2DHG表面，该表面位于掺杂硅的单斜（010）β-Ga₂O₃晶体上，而晶体的主体为n-type。表面的大多数自由载流子被确定为具有p ∼ 8.7 × 10¹³ cm⁻²的空穴浓度，并且在室温下具有µh ∼ 80 cm²/(V·s)的难以置信的高迁移率值。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2023.172713