【国际论文】利用雾化化学气相沉积沉积氧化镓薄膜的雾化强度研究

        近日，由英国德蒙福特大学的研究团队在科学期刊《Physica Status Solidi-Rapid Research Letters》中发表了一篇名为Investigation on the Mist Intensity to Deposit Gallium Oxide Thin Films by Mist Chemical Vapor Deposition（利用雾化化学气相沉积沉积氧化镓薄膜的雾化强度研究）的文章。

摘要

        本研究展示了一种新颖、简单而强大的雾化学气相沉积法，与现有的工业实践沉积氧化镓，并研究了雾强度对氧化镓性质的影响。对雾产生的强度进行了优化，以获得光滑均匀的薄膜。本研究中沉积的薄膜是混合相多晶氧化镓。紫外-可见-近红外光谱和薄膜的光响应显示，氧化镓薄膜对包括深紫外-C和紫外-B波段在内的紫外波长具有响应性，而雾产生强度对薄膜的带隙几乎没有影响。通过改变雾的强度可以改变薄膜的厚度。观察到改变雾的强度对折射率没有明显影响。形态学研究证明了超平滑薄膜的形成，其均方根值为0.628 nm；相比用于沉积Ga₂O₃的传统半导体薄膜沉积工艺更接近或更好。

图 1 a) 薄雾化学气相沉积 (M-CVD) 仪器装置由薄雾生成单元、反应区、薄雾控制器、加热源和载气排气口组成。b,c) 载气携带的前驱液产生的雾气从出雾口喷出，形成雾气流线后散布到空气中。