【国内论文】通过声光电耦合，Ga₂O₃ 基日盲光电探测器的响应率提高了 5×10³ 倍以上

        由北京邮电大学、南开大学和华中科技大学组成的的研究团队在科学期刊《ACS Nano》中发表了一篇名为 Over 5×10³-Fold Enhancement of Responsivity in Ga₂O₃-Based Solar Blind Photodetector via Acousto–Photoelectric Coupling（通过声光电耦合，Ga₂O₃ 基日盲光电探测器的响应率提高了 5×10³ 倍以上）的文章。

摘要

        宽禁带半导体Ga₂O₃的出现使其成为日盲检测活动的前沿，这要归功于其关键特性。尽管提出了各种各样的Ga₂O₃基日盲光电探测器的架构和设计，但其性能仍然未达到商业标准。在本项研究中，我们演示了一种通过激发声表面波来提高简单金属-半导体-金属结构的Ga₂O₃基日盲光电探测器性能的方法。具体来说，我们证明了在100 mV的偏压和20 dBm的射频信号下，响应度和探测度分别从2.78提高到1.65 × 10⁴ A/W和从8.35 × 10¹⁴增加到2.66 × 10¹⁶ jones，可与商用光电倍增管媲美。响应度超过5 × 10³倍增强可以归因于声光电耦合机制。此外，由于表面声波还可以用作信号接收器，这种光电探测器提供了双模式检测的前景。我们的研究结果揭示了实现高性能Ga₂O₃基电子学和光电子学的一条大有可为的途径。

原文链接：https://doi.org/10.1021/acsnano.3c08938