【国际论文】在 GaN/c-蓝宝石衬底上生长的创纪录厚的κ(ε)-Ga₂O₃ 外延层

        近期，由俄罗斯Ioffe研究所、俄罗斯科技大学(MISIS)等机构组成的研究团队发表了收录在Technical Physics, 2023, Vol. 68, No. 3的一篇名为Record thick κ(ε)-Ga₂O₃ epitaxial layers grown on GaN/c-sapphire（在 GaN/c-蓝宝石衬底上生长的创纪录厚的κ(ε)-Ga₂O₃ 外延层）的文章。

摘要

        利用HVPE(卤化物气相外延)技术，在c-蓝宝石衬底的GaN缓冲层上生长出了创纪录厚的前可迁移半导体Ga₂O₃外延层，其厚度可达100um。层的X射线行射图表明，层的结构为纯kappa(e)-GaO，不含其他相。同时，还观察到了畴结构的组织，其表现为保持氮化镓子层取向的伪六角形棱柱。制作了带有镍触点的肖特基二极管，并研究了各层的电学和光电性能。探究了电容-电压(C-V)和频率-电容(C-f)关系，测量了光电流和光电容光谱。

原文链接：https://doi.org/10.21883/TP.2023.03.55813.231-22