【国际论文】硅注入β-Ga₂O₃:Fe 晶体的电学特性

        近期，由下诺夫哥罗德国立大学的研究团队在科学期刊《APPLIED PHYSICS LETTERS》发表了一篇名为Electrical properties of silicon-implanted β-Ga₂O₃:Fe crystals（硅注入β-Ga₂O₃:Fe 晶体的电学特性）的文章。

摘要

        离子注入法是开发 β-Ga₂O₃ 技术和设备的一种前景广阔的方法。然而，针对这种特殊半导体的离子注入物理原理仍处于早期开发阶段。其中一项主要任务是研究离子掺杂层的电学特性。在这项工作中，我们研究了在铁掺杂且 (-201)向的半绝缘 β-Ga₂O₃ 中通过离子注入浅供体杂质-硅而产生的层的电学参数。结果表明，植入杂质的活化效率在植入后的高温退火后明显超过了单位。这表明，不仅硅本身对导电性有影响，硅（可能还有铁）参与形成的缺陷也有影响。电子迁移率的温度依赖性与理论计算结果一致，前提是除了浅层供体外，还存在与深层缺陷相关的供体和受体。假定所建立的特性是直接将硅注入到掺有铁的 β-Ga₂O₃ 的特定情况。

原文链接：https://doi.org/10.1063/5.0174490