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【产业新闻】氧化镓行业引擎已提速,多家企业多个项目逐渐进场落地!

日期:2024-01-12阅读:247

第四代半导体项目来了!镓仁半导体开业!

        2024年1月2日,杭州萧山经济技术开发区机器人小镇迎来了一个激动人心的时刻——杭州镓仁半导体有限公司正式开业!这标志着公司迈向了一个新的历史阶段,迎来了“芯”起点,新征程,新机遇,新挑战。公司董事长、总经理张辉以及技术总监夏宁代表公司全体员工,对远道而来的领导、嘉宾和合作伙伴表示热烈的欢迎。

        镓仁半导体将以本次开业庆典为新的起点,继续秉承“同创、领先、共赢”的理念,努力提升自身技术实力和产品竞争力。未来,镓仁半导体将紧紧抓住半导体产业发展的历史机遇,立足国家重大需求,深耕氧化镓上游产业链的持续创新,致力于为全球客户提供高品质的半导体氧化镓产品,助力国家“碳中和”、“碳达峰”的发展目标。

        杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于氧化镓等第四代超宽禁带半导体单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。公司依托浙江大学硅材料国家重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心和浙江省功率半导体材料与器件实验室,已形成一支以中国科学院院士杨德仁院士为首席顾问的研发和生产团队,掌握从设备开发、热场设计、晶体生长、晶体加工等全套的关键技术,有望破解氧化镓材料的“卡脖子”难题。

 

借鉴好做法 吸收好经验

        吉林省人民政府党政代表团赴上海、浙江、江苏、安徽、天津、山东、广东等地学习考察归来后,随队学习考察的省科技厅、长白山管委会、梅河口市主要负责同志纷纷表示,先进省份和发达地区的好经验、好做法非常值得借鉴和学习,为下步发展提供了新思路注入了新动力。

        省科技厅党组书记、厅长李岩表示,在考察活动中,感受最深的是先进省份和发达地区如潮涌来的科技创新活力。

        “这次考察活动我们收获颇丰。”李岩说,“我们分别与安徽省、山东省签署了科技创新合作框架协议;引进了中山大学王钢教授团队,重点开展氧化镓异质外延专用多片型MOCVD量产装备关键技术攻关;与中山德华芯片技术有限公司就镓系半导体能源芯片项目——光伏芯片和功率电子芯片项目达成合作意向;吉林省科技创新研究院与中科院深圳先进技术研究院签署了合作备忘录,拟引进5个团队7个项目成果在我省落地转化。”

        李岩表示,我省科教优势比较明显,拥有66所高校、102个科研机构,还拥有像吉林大学、中科院长春光机所、中科院长春应化所这样的国家战略科技力量。“下一步,我们将充分整合优化科教创新资源,以科技创新推动产业创新,聚焦现代化产业体系、新型工业化、现代化大农业、数字经济等关键领域开展重大核心技术攻关,打造以‘两室’‘两院’为引领的高端平台体系,推动更多优秀科技成果在省内转化与产业化。”李岩说。

 

南京邮电大学集成电路科学与工程学院获批2项2023年国家自然科学基金联合基金重点支持项目

        11月21日,国家自然科学基金委员会公布了2023年国家自然科学基金联合基金重点支持项目的评审结果。我院的郭宇锋教授主持的项目《高可靠多芯粒集成系统通用测试模型与关键技术研究》(资助金额257万元),以及唐为华教授主持的项目《超宽禁带氧化物半导体掺杂调控和光电器件研究》(资助金额259万元),均获得了立项批准。这使得我院在单年获批联合基金重点支持项目的立项数和经费数上创下了新高,也使得我院成为了本年度全校获批联合基金重点支持项目数量最多的学院。

        唐为华教授主持的《超宽禁带氧化物半导体掺杂调控和光电器件研究》面向作为第四代超宽禁带半导体的典型代表——氧化镓半导体材料,针对当前氧化镓连续能带调控和稳定双极型掺杂的科学难题,拟基于金属有机物化学沉积手段进行N型氧化镓的合金化制备和P型氧化镓的阴阳离子掺杂生长,构筑氧化镓基超宽禁带高质量同质PN结,研发高性能的日盲深紫外光电传感器和MOS晶体管。该项目的创新成果有望为超宽禁带氧化物半导体器件开发提供理论和技术支撑,为我国在超宽禁带半导体领域争得国际领先地位提供重要支撑。

超宽禁带氧化物半导体光电器件具有重要应用前景

        联合基金是国家自然科学基金委员会与地方政府和企业共同出资设立,旨在发挥国家自然科学基金的导向作用,吸引与整合社会资源投入基础研究,促进有关部门、企业与高等学校和科学研究机构合作,培养科学与技术人才,推动我国相关领域、行业、区域自主创新能力提升。

 

清华大学发布2023青年最关注的“改变未来十大变革科技”

        为营造良好的科技创新生态,鼓励广大青年学子瞄准行业前沿,深入探索交叉领域,清华大学《探臻科技评论》开展了2023“青年最关注的改变未来十大变革科技”榜单评选活动,共吸引了9000余名清华师生参与投票。

        其中氧化镓所属的第四代半导体材料有幸上榜。

第四代半导体材料

上榜理由:聚焦芯片卡脖子环节,引领半导体材料革新

        推介语:“随着电子信息技术的不断发展,半导体材料也经历了数代更迭,第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础,第二代半导体材料奠定了通信产业的基础,目前以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料具有耐高压、耐高温等优越性能,主要应用于功率器件和射频器件。而氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代半导体材料具有优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能,在功率和射频半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。”

 

“科创中国”技术路演——智汇佛山专场活动成功举办!

        10月31日, “科创中国”技术路演——智汇佛山专场活动顺利举办!近500人次在线上观看了本次活动。活动旨在汇聚海内外创新资源,包括优质硬科技项目、投机机构、产业资本、银行等,‍通过深入交流,推动佛山市科技成果转化成效。

        “埃文智能碳表——基于工业互联网标识的碳排放智能监测与大数据管控系统”、“基于人工智能视觉检测与分析技术的研究和应用”、“基于北斗三代系统的高精度定位技术产业化项目”、“超宽禁带半导体氧化镓材料及MOCVD装备”等高层次人才项目参加了本次路演活动。

项目四:超宽禁带半导体氧化镓材料及MOCVD装备

        本项目以第四代超宽禁带半导体氧化镓外延材料为核心优势,在氧化镓材料外延生长、装备设计研发等领域进行源头创新,开发了国际首台具有优异的重复性、均匀性和低缺陷率的氧化镓MOCVD量产型智能装备及配套外延生长工艺,在国际上率先获得了大尺寸高质量的氧化镓外延材料,并在功率器件率先完成了芯片验证,打破了美日在芯片材料端的专利垄断,填补国内空白。