【国际论文】用于电阻式随机存取存储器技术的铝顶部电极为的β−Ga₂O₃溅射沉积薄膜

        由德国不来梅大学的研究团队在《2023 年电气电子工程师协会纳米技术材料与器件会议 (IEEE-NMDC)》（2023 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)）发表了一篇名为Sputter-Deposited β−Ga₂O₃ Films With Al Top Electrodes for Resistive Random Access Memory Technology（用于电阻式随机存取存储器技术的铝顶部电极为的β−Ga₂O₃溅射沉积薄膜）的文章。

摘要

        氧化镓（β−Ga₂O₃）被认为是非易失性电阻开关的有前途的候选者。然而，对于在垂直堆叠器件中充当底部电极的金属衬底上生长晶体氧化镓，对于各种沉积技术来说一直是一个挑战。我们使用射频（RF）磁控溅射研究了在Ru/Al₂O₃衬底上生长晶体 β−Ga₂O₃，并表征了Al/Ga₂O₃/Ru器件的电学性质，考察了沉积时间和温度的影响。所得到的器件显示了超过70个稳定的 IV 循环，开关比高达10³。随着温度和厚度的增加，耐久性和保持周期的稳定性也有所提高。这些器件中的电阻开关（RS）行为似乎与氧空位丝的形成和破裂有关。

原文链接：https://doi.org/10.1109/NMDC57951.2023.10343972