【国际论文】亚微米级 E-Ga₂O₃薄膜的超大压缩塑性

        近期，由马来西亚理科大学的研究团队在学术期刊《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》发布的一篇名为Growth of polycrystalline gallium oxide films in nitrogen–oxygen–nitrogen, argon, and oxygen ambient（在氮-氧-氮、氩和氧环境中生长多晶氧化镓薄膜）的文章。

摘要

        通过射频磁控溅射沉积的Ga₂O₃薄膜在不同的气氛（N₂–O₂–N₂，氩气和氧气气氛）下进行了800℃的退火。结果表明，在所有样品中都形成了β-Ga₂O₃相的多晶相，而在氩气环境中退火的薄膜中还存在额外的γ-Ga₂O₃相。尽管在氩气氛中退火的薄膜中存在氧空位，但在经过N₂–O₂–N₂气氛退火的薄膜中，氮的引入产生了更多的氧空位，从而导致薄膜质量下降，产生最高的漏电流密度、最低的临界电场和最小的带隙。通过在氧气气氛中进行的退火，修复薄膜中的断裂键，实现了性能的改善。然而，由于薄膜中存在可能作为散射中心的氧空隙，导致了临界电场的降低。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s10854-023-11709-8