【国际论文】直接观察 α-Ga₂O₃ 肖特基二极管中光诱导电流弛豫的伸展过程

        由俄罗斯国家研究型技术大学等机构组成的研究团队在学术期刊《ECS Journal of Solid State Science and Technology》发布的一篇名为Direct Observation of the Stretching of the Photoinduced Current Relaxation in α-Ga₂O₃ Schottky Diodes（直接观察α-Ga₂O₃肖特基二极管中光诱导电流弛豫的伸展过程）的文章。

摘要

        测量了基于 α-Ga₂O₃ 的肖特基二极管中光诱导电流的弛豫。这种肖特基二极管是利用卤化物气相外延（HVPE）技术在蓝宝石衬底上生长的 α-Ga₂O₃ 薄膜制造的。它们在 UV-C 区域的光敏性非常高，比可见光高出几个数量级。光诱导电流的上升和衰减时间相当长，这归因于深层受体对空穴的捕获以及电位波动的影响。由于这些问题，光诱导电流弛豫过程由多个步骤组成，需要数百秒以上的时间。利用对数微分分析法计算了特征弛豫时间，结果表明，建立和衰减过程可以用具有不同展宽因子 β 的拉伸指数来精确描述。光诱导电流衰减和上升时间的温度活化能分别为 0.37 ± 0.03 eV 和 0.06 ± 0.005 eV。

原文链接：https://doi.org/10.1149/2162-8777/ad145f