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【国际论文】液态金属制造具有可调化学计量的超薄氮氧化镓层

日期:2024-02-08阅读:247

        近期,由法国里昂大学的研究团队在学术期刊《Advanced Photonics Research》发表了一篇名为Liquid-Metal Fabrication of Ultrathin Gallium Oxynitride Layers with Tunable Stoichiometry(液态金属制造具有可调化学计量的超薄氮氧化镓层)文章。

摘要

        报道了一种合成纳米厚度(≈3 nm)可变化化学计量的氮氧化镓(GaOxNy)层的方法。该方法主要利用液态金属化学(LMC)技术,与传统的自上而下和自下而上的方法相比,更容易将二维材料集成到光子器件中。制备过程分为两步,首先是基于液态金属的印刷,形成纳米厚的氧化镓(Ga2O3)层,然后进行等离子体增强的氮化反应。通过对氮化参数(等离子体功率、曝光时间)的控制,可以调整GaOxNy层的组成,从而获得具有不同光学性质的化合物(例如,20%的折射率变化),如椭圆测量和密度泛函理论(DFT)模拟所证明的。DFT提供了对GaOxNy化合物的光学性质的微观理解,包括键极化和晶体性对光学性质的影响。这些发现扩展了对超薄GaOxNy合金的认识,这方面的研究相对于其氮化镓(GaN)和氧化镓(Ga2O3)的对应物来说较少。它们也是将这类二维材料集成到光子芯片中的重要一步,并为改进混合光电器件的性能提供了新的机会。

图1. 大面积超薄氮化镓纳米片的合成过程。a) 液态金属表面在氧气存在下发生Cabrera–Mott氧化作用的示意图,之后为用于从熔融金属中剥离二维氧化物的印刷技术。液态金属液滴被挤压在两个衬底之间,使 Ga2O3 层得以转移。b) 利用在圆柱形空腔等离子反应器中进行的微波激活氮/氢等离子体,从超薄 Ga2O3 层合成超薄氮化镓纳米片的过程

图2. 在二氧化硅/硅衬底上的超薄 Ga2O3(氮化前(a 和 c))和超薄 GaN(氮化后(b 和 d))的材料表征。a,c)超薄 Ga2O3 在(a)Ga 2p 峰和(c)O1s 峰附近相关光谱区域的 XPS 结果。

原文链接:https://doi.org/10.1002/adpr.202300252