【国内论文】利用热氧化GaAs和金属有机化学气相沉积制备高光捕获β-Ga₂O₃纳米棒薄膜

        由吉林大学的研究团队在学术期刊《Materials Science in Semiconductor Processing》发布的一篇名为Preparation of high light-trapping β-Ga₂O₃ nanorod films via thermal oxidation of GaAs and metal-organic chemical vapor deposition（利用热氧化GaAs和金属有机化学气相沉积制备高光捕获β-Ga₂O₃纳米棒薄膜）的文章。

摘要

         单斜晶体氧化镓（β-Ga₂O₃）因其低成本的单晶体和优异的光电性能而受到广泛关注。然而，β-Ga₂O₃薄膜的低比表面积和高缺陷密度导致光物质相互作用弱，晶体质量差，严重阻碍了其应用。本文展示了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaAs基底上生长高光捕获的β-Ga₂O₃纳米棒（NR）薄膜的方法。GaAs基底经过热氧化（TO）预处理，形成β-Ga₂O₃种子层。研究了MOCVD生长条件对β-Ga₂O₃ NR薄膜形貌的影响，详细研究了β-Ga₂O₃ NR薄膜的生长机制。采用X射线衍射、拉曼光谱和光致发光等手段研究了β-Ga₂O₃ NR薄膜的晶体和光学性质。在254 nm波长处观察到40%的光反射率显著降低，表现出明显的光捕获效应。结果表明，β-Ga₂O₃ NR薄膜表现出强烈的光物质相互作用，具有在光电应用中的潜力。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107912