【国际论文】在雾化学气相沉积过程中通过初始雾流稳定改善 c 平面蓝宝石上的 κ-Ga₂O₃ 异质外延

        近期，由美国密西根大学的研究团队在学术期刊《Thin Solid Films》发布了一篇名为Improved Heteroepitaxy of κ-Ga₂O₃ on c-plane Sapphire by Initial Mist Flow Stabilization during Mist Chemical Vapor Deposition（在雾化学气相沉积过程中通过初始雾流稳定改善 c 平面蓝宝石上的κ-Ga₂O₃ 异质外延）的文章。

摘要

        Kappa相氧化镓（κ-Ga₂O₃）是一种亚稳态的氧化镓多形体，是一种超宽带隙半导体，具有在各种电子和光电子器件中潜在的应用。在这项研究中，我们研究了在雾化化学气相沉积过程的初期阶段稳定雾流对在c平面蓝宝石上生长的κ-Ga₂O₃异质外延薄膜晶体质量的影响。使用相同的生长参数生长了两个κ-Ga₂O₃薄膜，唯一不同的因素是初始雾流的稳定性。对薄膜的结构和光学特性进行了表征。两种过程都导致外延生长；然而，控制初始雾流导致了改善的Ga₂O₃/Al₂O₃界面和更优越的晶体质量。通过调控雾流生长的薄膜表现出了4.93 eV的光学带隙，表面平滑，均方根粗糙度为1.56 nm，摇摆曲线半高全宽值为0.17°。此外，在κ-Ga₂O₃上沉积Ti/Au形成的界面类似于β-Ga₂O₃和Ti/Au之间的界面，解释了先前关于κ-Ga₂O₃和Ti/Au接触之间欧姆行为的报告。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.tsf.2024.140223