【会员论文】大连理工大学梁红伟教授团队关于MOCVD 法生长的异质外延β-Ga₂O₃ 薄膜的研究

        β-Ga₂O₃是一种超宽带隙半导体，在日盲紫外探测、功率器件和气体传感等方面具有很大的应用潜力。然而，对β-Ga₂O₃表面性质的了解仍然不足。本文采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长β-Ga₂O₃薄膜。详细讨论和分析了β-Ga₂O₃薄膜的表面化学组成、表面层结晶性能和表面形貌。通过比较O/Ga的原子比、薄膜的表面形貌和晶体性质，我们将结合能在531.8 eV附近的 O 1s组分归因于表面晶格氧原子。此外，利用HRTEM技术在原子尺度上观察了薄膜表面和近β-Ga₂O₃衬底界面区域的一维缺陷。通过对不同晶面的晶格条纹、几何相均匀性和应变分布的比较，我们发现表面层的结晶质量远高于近界面区域。

论文原文：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.159327