【国内论文】三甲基镓流速对 MOVPE 制备的 β-Ga₂O₃ 薄膜的结构和光电特性的影响

        由天津理工大学的研究团队在学术期刊《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》发布了一篇名为Effect of trimethylgallium flow rate on structural and photoelectronic properties of β-Ga₂O₃ films prepared by MOVPE（三甲基镓流速对 MOVPE 制备的 β-Ga₂O₃ 薄膜的结构和光电特性的影响）的文章。

摘要

        本研究考察了通过MOVPE法在α-Al₂O₃（0001）衬底上生长的β-Ga₂O₃薄膜的结构和光电特性与三甲基镓流量之间的关系。随着源流量从7.2 mol/min逐渐降低到3.6 mol/min，薄膜逐渐从多晶变为单一外延取向，并且薄膜与衬底之间的外延关系为β-Ga₂O₃ (-201) ∥α-Al₂O₃ (0001)和β-Ga₂O₃ [010] ∥α-Al₂O₃ <-1010>。薄膜厚度从767.4nm减少到329.2 nm，表面均方根粗糙度从18.1nm降至5.84 nm。在可见光范围内的平均透射率从81.2％增加到83.4％，光学带隙宽度从4.80 eV增加到4.95 eV。制备的MSM结构光电探测器（PD）可以连续切换对254 nm紫外光的响应，以7.2 mol/min源流量制备的PD具有最大光电流1405.2 nA。然而，在3.6 mol/min条件下制备的PD具有最低的暗电流、最高的光暗电流比、更短的快速响应时间和良好的保持特性。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s10854-024-11966-1