【国际论文】通过 X 射线光电子能谱确定接枝单晶 Si (001)/β-Ga₂O₃ (010) p-n异质结的能带排列

        如今，β-相氧化镓（β-Ga₂O₃）的研究步伐日益加快。然而，高受主激活能阻碍了采用β-Ga₂O₃的同质结双极器件的发展。近期展示的半导体接枝技术为实现晶格错配的β-Ga₂O₃基p-n异质结的高质量界面提供了另一种可行的方法。了解并定量表征接枝异质结的能带排列对于未来采用接枝法开发双极器件至关重要。本次研究通过利用X射线光电子能谱（XPS）对接枝单晶Si/β-Ga₂O₃异质结的能带排列进行了系统研究。利用测得数据的不同部分，采用了两种不同的方法构建了能带图，即芯能级峰法和价带谱法。两种方法都得出了误差范围内相同的能带排列，这也与Si和β-Ga₂O₃的电子亲和值预测一致。研究表明，接枝Si/β-Ga₂O₃异质结中的界面缺陷密度足够低，完全避免了在界面上的费米能级钉扎，可以安全地使用普遍的电子亲和势规则来构建接枝单晶Si/β-Ga₂O₃异质结的能带图。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.159615