【国际论文】通过 TCAD 仿真研究基于 IZTO/Ga₂O₃ 肖特基二极管的平面日盲光电探测器的电气和光学性能

        近期，由阿尔及利亚提济乌祖穆卢德·马迈里大学的研究团队在学术期刊《Optical and Quantum Electronics》发布了一篇名为Electrical and optical performances investigation of planar solar blind photodetector based on IZTO/Ga₂O₃ Schottky diode via TCAD simulation（通过 TCAD 仿真研究基于 IZTO/Ga₂O₃ 肖特基二极管的平面日盲光电探测器的电气和光学性能）的文章。

摘要

        随着对具有显著光敏特性的日盲传感器日益增长的需求，先进的日盲光电探测器设备的开发正受到推动。本研究对基于氧化镓（Ga₂O₃）的肖特基光电探测器的电学和光学性能进行建模和模拟，氧化镓是最有前途的宽禁带材料之一。该研究侧重于对设备结构设计的优化，假设对可见光完全透明。此外，对β-Ga₂O₃基光电探测器的电学和光学性能进行了分析，以准确描述半导体体材料中的物理现象。设备性能的多个参数对其性能的影响，如层厚度、掺杂浓度、电子亲和力、阳极功函数和不同的阴极接触材料。此外，为了更好地理解光电探测器不同层中的实际行为，改变了各种光学参数，例如光功率强度和通过改变光波长来改变的光谱响应。所得结果相较于先前的研究显示出良好的性能提升，例如3×10⁴的光电流与暗电流比，紫外光照明[250–350 nm]中的良好光谱响应，以及相对较高的探测度为2.5×10⁹（Jones）。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s11082-023-06231-4