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【国际论文】多金属 Mo/Al/Au 堆与超宽带隙 Ga₂O₃ 薄膜的后退火低电阻欧姆接触及其深入界面研究,用于下一代大功率设备

日期:2024-03-15阅读:194

        近日,由印度理工学院的研究团队在学术期刊《Surfaces and Interfaces》发布了一篇名为Low resistance Ohmic contact of multi-metallic Mo/Al/Au stack with ultra-wide bandgap Ga2O3 thin film with post-annealing and its in-depth interface studies for next-generation high-power devices(多金属 Mo/Al/Au 堆与超宽带隙 Ga2O3 薄膜的后退火低电阻欧姆接触及其深入界面研究,用于下一代大功率设备)的文章。

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