【国际论文】用于垂直设备应用的 rh-ITO 电极上 a、m 和 r 面 α-Ga₂O₃ 薄膜的异外延生长

        近日，由日本京都工艺纤维大学的研究团队在学术期刊《Journal of Crystal Growth》发布了一篇名为Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga₂O₃ thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications（用于垂直设备应用的 rh-ITO 电极上 a、m 和 r 面 α-Ga₂O₃ 薄膜的异外延生长）的文章。

摘要

        α-氧化镓由于其的超宽带隙而在功率开关和深紫外光电子学应用中备受关注。然而，在异质衬底上（通常是绝缘蓝宝石）异质外延生长α-氧化镓，以制作具有垂直结构的α-氧化镓器件具有一定的挑战性。在这项研究中，我们通过雾化化学气相沉积研究了a-、m- 和 r-面α-氧化镓在菱形氧化铟锡（rh-ITO）电极上的异质外延生长。X射线衍射（XRD）2θ-ω和φ扫描分析表明，在插入α-Fe₂O₃缓冲层时，a-、m- 和 r-面α-氧化镓外延薄膜成功地生长在rh-ITO底电极上。在α-Ga₂O₃薄膜的XRD结果中未观察到相分离或平面旋转。α-Fe₂O₃缓冲层促进了α-氧化镓在rh-ITO的各个平面上的有选择性生长。通过场发射扫描电子显微镜观察到的a-、m- 和 r-面α-氧化镓的表面形貌取决于晶体平面。本研究的结果在开发具有α-氧化镓薄膜的垂直结构器件方面具有潜在的应用。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127596