【国内论文】用于高性能自供电紫外光电化学光电探测器的 β-Ga₂O₃ 纳米管阵列

        近期，由南京大学的研究团队在学术期刊《Nanotechnology》发布了一篇名为β-Ga₂O₃ nanotube arrays for high-performance self-powered ultraviolet photoelectrochemical photodetectors（用于高性能自供电紫外光电化学光电探测器的 β-Ga₂O₃ 纳米管阵列）的文章。

摘要

        自供电紫外线（UV）光电探测器（PDs）因其低能耗和高灵敏度而成为未来高能效光电系统的关键。在本文中，通过热氧化工艺结合干法刻蚀技术，在GaN/蓝宝石衬底上首次制备了垂直排列的β-Ga₂O₃纳米管阵列（NTs），并将其应用于UV光电化学光电探测器（PEC-PDs）。基于β-Ga₂O₃ NTs在GaN/蓝宝石衬底上的比表面积大和固体/液体异质结，PEC-PDs在255 nm（UVA）和365 nm（UVC）光照下表现出优异的自供电特性。在255 nm（365 nm）光照下，β-Ga₂O₃ NTs光电探测器在0 V偏压下实现了49.9 mA/W（32.04 mA/W）的最大响应度和1.58×10¹¹ Jones（1.01×10¹¹ Jones）的高检测度。此外，该器件显示出8/4 ms（4/2 ms）的快速上升/衰减时间，优于先前报道的自供电UV PEC-PDs的水平。这种高性能的PEC-PD在下一代低能耗UV检测系统中具有潜在应用。

原文链接：https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad22a6