【国内论文】采用 PFOM 为 769.42 MW/cm² 的横向 β-Ga₂O₃ MOSFET设计器件

        近期，由西安科技大学的研究团队在学术期刊《Engineering Research Express》发布了一篇名为Design of lateral β-Ga₂O₃ MOSFET with PFOM of 769.42 MW/cm²（采用PFOM 为 769.42 MW/cm² 的横向 β-Ga₂O₃ MOSFET设计器件）的文章。

摘要

        功率优势系数（PFOM = Vbr2/R_on,sp）用于评估氧化镓（β-Ga₂O₃）功率器件的性能。在这项研究中，设计了一种横向β-Ga₂O₃ MOSFET器件。研究了不同栅长、栅漏距离和外延层掺杂浓度对器件性能的影响。发现当栅长为3μm时，器件的击穿电压为3099V，约为其他栅长器件的两倍。器件的PFOM达到769.14 MW/cm²。此外，随着栅漏距离的增加，击穿电压呈先减小后增加的趋势。当栅漏距离为37μm时，器件的击穿电压达到4367V。此外观察到，在外延层掺杂浓度为2×10¹⁷cm^-3时，器件性能最佳。这项研究为氧化镓功率器件的设计提供了一种新的方法。

原文链接：https://doi.org/10.1088/2631-8695/ad1fb5