【国际论文】通过Mist CVD法生长用于功率半导体器件的 α-Ga₂O₃ 薄膜的最新进展：全面综述

        近期，由马来西亚国立大学的研究团队在学术期刊《Crystal Research and Technology》发布了一篇名为Recent Advancements in α-Ga₂O₃ Thin Film Growth for Power Semiconductor Devices via Mist CVD Method: A Comprehensive Review（通过Mist CVD法生长用于功率半导体器件的 α-Ga₂O₃ 薄膜的最新进展：全面综述）的文章。

摘要

        本综述讨论了α-氧化镓（α-Ga₂O₃）对潜在高功率器件应用的影响。迄今为止，功率行业对于高效高功率传输和低功率损耗器件材料有着很高的要求。作为III-VI氧化物半导体家族的一员，α-氧化镓由于其5.3 eV的超宽带隙、10 MV cm⁻¹的高击穿场强和极高的巴利加优值而被认为是未来有潜力的功率半导体材料。备受期待的α-氧化镓功率半导体电子器件（肖特基势垒二极管和场效应晶体管）可以比传统的半导体材料如Si、SiC和GaN表现更好。然而，目前在利用雾化化学气相沉积（mist CVD）培育高质量α-氧化镓用于FET和SBD等高功率器件方面的研究尚不足够。目前，mist CVD生长的α-氧化镓薄膜功率器件仍处于早期阶段，其中一个主要原因是薄膜缺陷，这些缺陷阻碍了材料的电子迁移率。本文的撰写目的是概述利用雾化CVD过程开发用于高功率器件如肖特基势垒二极管（SBD）和场效应晶体管（MOSFET）的α-氧化镓异质外延薄膜的发展。此外，多个观点突出了在科学社会中实现器件性能可持续性的挑战和未来趋势。

原文链接：https://doi.org/10.1002/crat.202300311