【国际论文】基于 MOCVD 的三乙基镓原位蚀刻 β-Ga₂O₃ 演示

        美国亚利桑那州立大学的研究团队在学术期刊《Journal of Applied Physics》发布了一篇名为Demonstration of MOCVD based in situ etching of β-Ga₂O₃ using TEGa（基于 MOCVD 的三乙基镓原位蚀刻 β-Ga₂O₃ 演示）的文章。

摘要

        在本次研究中，我们利用三乙基镓（TEGa）作为蚀刻剂，在金属有机化学气相沉积（MOCVD）反应器内演示了一种β-Ga₂O₃的原位蚀刻技术。在足够高的衬底温度（Tsub）下，TEGa被引入到MOCVD反应器中，经过热解反应产生镓在β-Ga₂O₃表面的沉积。这些镓原子与Ga₂O₃反应形成亚氧化镓（Ga₂O），亚氧化镓从β-Ga₂O₃表面脱附，导致蚀刻外延层。MOCVD室参数，如TEGa摩尔流量、衬底温度和室压，在控制蚀刻速率和表面形貌方面起关键作用。通过改变蚀刻参数，展示了从约0.3到8.5 μm/h的广泛蚀刻速率范围。此外，还展示了（010）和（001）β-Ga₂O₃衬底上的光滑表面形貌。这种新的蚀刻技术可以实现无损伤地制造鳍和沟槽等3D结构，这些结构是许多β-Ga₂O₃器件结构的关键组成部分。

原文链接：https://doi.org/10.1063/5.0195361