【国内论文】用于日盲探测器的c面蓝宝石上MOCVD两步法生长的β氧化镓材料

        中国科学院半导体研究所步成文研究院在《Journal of Semiconductors》上发表名为“Two-step growth of β-Ga₂O₃ on c-plane sapphire using MOCVD for solar-blind photodetector”的论文文章。

        为了提高蓝宝石衬底上氧化镓异质外延薄膜的晶体质量，中国科学院半导体研究所成步文研究员课题组通过优化蓝宝石衬底和外延层之间缓冲层的生长温度，实现了高质量氧化镓薄膜的外延生长。采用两步法生长的半高宽约为0.66°氧化镓薄膜，制备的氧化镓日盲探测器响应度1422 A/W @254 nm、探测率达到2.5×10¹⁵ Jones，响应时间36 ms，相关指标为国际领先水平。该工作说明MOCVD两步法生长的氧化镓材料在制备高性能的日盲探测器方面具有非常大的潜力。