【国内论文】利用高阻同质中间膜提高 Ga₂O₃/Si 异质结日盲光电探测器的光电探测性能

        近日，由上海大学的研究团队在学术期刊《Materials Today Physics》发布了一篇名为Enhancement of photodetection performance of Ga₂O₃/Si heterojunction solar-blind photodetector using high resistance homogeneous interlayer（利用高阻同质中间膜提高 Ga₂O₃/Si 异质结日盲光电探测器的光电探测性能）的文章。

摘要

        利用Ga₂O₃材料创建同质结面临着重大挑战，主要是因为稳定的p型Ga₂O₃很难实现。基于n-Ga₂O₃材料的pn异质结提供了开发日盲光电探测器的有前景的替代方案。在这项工作中，我们利用磁控溅射系统通过制备高电阻和低电阻界面层来制造n- Ga₂O₃/p-Si异质结太阳盲光电探测器。结果表明，作为界面层的高电阻Ga₂O₃层有助于扩展pn异质结的空间电荷区域的宽度，从而增强了光探测灵敏度（在-5 V下为61.7 mA/W）。此外，pn异质结光电探测器在零偏压下对254 nm紫外光表现出光响应，展示出良好的稳定性。这表明在具有挑战性的环境中具有重要的应用潜力。增强光电探测器性能与硅集成电路的成熟技术的协同融合正在引起极大的关注。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2024.101380