【国内论文】锡源温度对 MOCVD 沉积的 β-Ga₂O₃ 薄膜的影响

        近日，由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊《Materials Science and Engineering: B》发布了一篇名为Effect of tin source temperature on the β-Ga₂O₃ film deposited by MOCVD（锡源温度对 MOCVD 沉积的 β-Ga₂O₃ 薄膜的影响）的文章。

摘要

        本文旨在研究掺杂源温度对薄膜晶体质量的影响。通过改变锡源的温度，采用MOCVD在C面蓝宝石衬底上沉积了单晶氧化镓薄膜。结果表明，降低锡源温度有助于锡原子更容易取代晶格中的镓原子，并减少对晶格的损伤。在-20 ℃的锡源温度下，掺杂薄膜不仅具有最小的半高全宽为2.04°和4.45 nm的粗糙度，而且光电探测器的光电流与暗电流之比达到最高值526，上升和下降的最低时间响应分别达到4.81 s和5.24 s。我们的工作通过控制锡源温度，可以优化掺杂薄膜的晶体质量和光电探测器的性能。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mseb.2024.117221