【国际论文】超宽带隙 β-Ga₂O₃ 衬底上的增强模式 AlGaN/GaN MISHEMT，用于射频和功率电子器件

        近期，由印度阿尼尔-尼鲁孔达技术与科学学院的研究团队在学术期刊《Journal of Electronic Materials》发布了一篇名为Enhancement Mode AlGaN/GaN MISHEMT on Ultra-Wide Band Gap β-Ga₂O₃ Substrate for RF and Power Electronics（超宽带隙 β-Ga₂O₃ 衬底上的增强模式 AlGaN/GaN MISHEMT，用于射频和功率电子器件）的文章。

摘要

        本文提出了基于数值模拟的高性能金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMTs），它们位于超宽带隙β-Ga₂O₃（Eg ~ 4.8 eV）衬底上。β-Ga₂O₃（β-氧化镓）在射频（RF）和功率电子应用中引起了重大关注。基于β-Ga₂O₃的GaN HEMT是未来射频和功率电子的新兴HEMT技术。提出并分析了β-Ga₂O₃上的增强模AlGaN/GaN MISHEMT，用于Lg = 0.8 µm的DC和RF性能的ATLAS TCAD模拟。基于SiN（Al₂O₃）绝缘体的MISHEMT表现出很高的漏电流密度（I_DS），分别为3.62（3.7）A/mm，阻挡电压（V_BR）分别为898（1505）V，跨导（g_m）分别为1.09（1.13）S/mm，截止频率（f_T）分别为49（44）GHz。此外，所提出的MISHEMT表现出非常低的开通电阻，为5Ωmm。结合较高的截止频率和高击穿电压，所提出的MISHEMT适用于未来的功率开关和射频应用。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s11664-024-11005-z