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【国内论文】可应用于神经形态计算和密码学中的耐高温GaOx日盲光电突触
日期：2024-04-26阅读：193
神经形态计算和密码学在现代社会至关重要。神经形态计算能推动人工智能发展，改善医疗、科学研究等领域；密码学可确保信息安全，维护个人隐私、国家安全和确保电子商务的可靠性。它们共同推动社会进步，保障人们的生活质量和社会稳定。近期，北京理工大学沈国震教授、李营副教授研究团队和郑州大学单崇新教授研究团队合作，制备了一种可应用于神经形态计算和密码学中的耐高温 GaOX 日盲光电突触。相关研究成果以“High temperature resistant solar-blind ultraviolet photosensor for neuromorphic computing and cryptography”为题发表在Advanced Functional Materials上。
摘要
解决外延β-Ga2O3 中微结构畴的失常对于相工程和性能改善至关重要，而与之相关的β-Ga2O3异质外延畴的演化在很大程度上仍未被探索。在这篇文章中，研究人员利用卤化物气相外延技术，在（0001）蓝宝石衬底上生长了 β-(Al0.57Ga0.43)2O3 缓冲层，对（-201）取向的外延 β-Ga2O3 薄膜的微结构畴进行了定量研究。在 950 ℃ 以下生长的（-201）β-Ga2O3 的 X 射线衍射摇摆曲线出现了明显的分裂，表明了畴的倾斜失调。通过透射电子显微镜的定量评估，当生长温度从 850 ℃ 升高到 1100 ℃ 时，畴倾斜角沿着 [132] 区域轴从 2.3° 显著降低到 0.9°，沿着 [010] 区域轴从 2.3° 显著降低到 0.56°，这表明在 1000 ℃ 以上的高温下，小角度畴界的消除在能量上是有利的。对 β-Ga2O3 中畴无序演化的定量研究揭示了提高外延质量的途径，以用于前沿电力电子和光电器件的应用。
原文链接：DOI: 10.1063/5.0191831
