【国际论文】陷阱对氧化镓基结构紫外线灵敏度的影响

        由俄罗斯托木斯克国立大学的研究团队在学术期刊《Crystals》发布了一篇名为Effect of Traps on the UV Sensitivity of Gallium Oxide-Based Structures（陷阱对氧化镓基结构紫外线灵敏度的影响）的文章。

摘要

        本次研究了具有不同电极间距和电极拓扑结构的电阻金属/β-Ga₂O₃/金属结构。在 Ar/O₂ 混合气体中，通过射频磁控溅射将 Ga₂O₃（99.999%）靶沉积到未加热的蓝宝石 c 平面衬底 (0001) 上。薄膜对波长为 λ = 254 的紫外线辐射敏感。具有数字间电极拓扑结构的薄膜具有明显的持续导电性。研究表明，响应率的大小、响应时间 τ_r 和恢复时间 τ_d 由参与重组过程的自由空穴 p 的浓度决定。这是首次提出同时考虑金属/Ga₂O₃ 界面的表面态 Nts 和薄膜主体中的陷阱对空穴的捕获。

图 1. 带有两个平行电极的探测器（a）和带有交错电极的探测器（b）示意图。

图 2. 未经退火和在 900 °C 下退火的氧化镓薄膜的 XRD 图。