【国际时事】Ta-Shun Chou荣获2023年DGKK青年科学家奖并且在INAM初创企业大赛中获胜

莱布尼茨晶体生长研究所的 Ta-Shun Chou 博士荣获 DGKK 青年科学家奖

        今年，德国晶体生长协会（Deutsche Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum，DGKK）授予IKZ博士后研究员Ta-Shun Chou博士"青年科学家奖"，奖金为 2500 欧元。以表彰他在通过实验和机器学习方法开发β-Ga₂O₃薄膜生长工艺方面的卓越研究。DGKK 青年科学家奖旨在表彰青年科学家在晶体生长领域取得的杰出科学成就。颁奖典礼于2024年3月7日在埃朗根的德国晶体生长会议（DKT）上举行。

        β-Ga₂O₃因其显著的宽带隙（约4.8eV）、高理论击穿场强（8 MV/cm）以及相对于SiC和GaN的潜在成本优势而受到越来越多的关注。这些特性使得氧化镓成为高功率和高电压应用的理想候选材料，有望提高电动汽车、可再生能源系统和电力网络的能量转换效率。Chou博士于2020年开始撰写博士论文，作为德国联邦科学与技术部（BMBF）资助的联合项目“ForMikro-GoNext”中的一部分，在由Andreas Popp博士（Jutta Schwarzkopf博士领导的纳米结构和氧化薄膜部门）领导的研究小组中从事半导体氧化镓外延生长的研究。Chou博士的论文代表了β-氧化镓MOVPE生长领域的重大进步，这是IKZ的一个关键课题，展示了与当前技术水平相比的显著改进。

        在其论文中所开发的生长技术已经确定了实现具有微米尺度厚度和优异电学特性的高质量β-Ga₂O₃薄膜的三大支柱，并揭示了一个新的机制，即Ga adlayer。Chou博士的论文取得了一项开创性的全球壮举，即在保持高电学性能和关键阶梯流生长的同时，生长了4μm（100）向β-Ga₂O₃薄膜，这对于薄膜质量的提高和随后的器件性能至关重要。此外，Chou博士的实验方法通过人工智能的支持，从而大大降低了工艺开发的成本，并提高了实验数据的可解释性。最后同样重要的是，致力于开发一种算法辅助的原位监测同质外延过程的方法是在该领域具有开创性意义，并在未来的工业应用中具有巨大潜力。

        随着IKZ在β-Ga₂O₃技术上的突破，材料合成迈出了向器件应用的关键一步，因为高质量材料是先进器件开发的先决条件。从2023年开始，IKZ开始接受商业请求，提供Czochralski生长β-Ga₂O₃的衬底和外延片。外延研究小组（Popp博士和Chou博士）以及由Andreas Fiedler博士领导的电学性能表征小组已经探索了定制β-Ga₂O₃外延片的商业化潜力。随着初创项目NextGO Epi的突破，IKZ团队加入了位于柏林的初创企业孵化器先进材料创新网络（INAM），并在AdMaLab 2023初创企业大赛的Demo Day（2024年2月28日）中从六家入选的创业公司中胜出。

INAM AdMaLab竞赛的优胜者为NextGO Epi (IKZ)