【国际论文】低频噪声表征正偏压对 β-Ga₂O₃ FinFET 中陷阱空间分布的影响

        由韩国全北国立大学的研究团队在学术期刊《Solid-State Electronics》发布了一篇名为Low-Frequency Noise Characterization of Positive Bias Stress Effect on the Spatial Distribution of Trap in β-Ga₂O₃ FinFET（低频噪声表征正偏压对 β-Ga₂O₃ FinFET 中陷阱空间分布的影响）的文章。

摘要

        对β-Ga₂O₃薄膜场效应晶体管在正偏压应力（PBS）下的可靠性进行了研究。该晶体管具有三栅结构，栅介质为Al₂O₃。通过表征低频噪声（LFN），定量提取了栅介质中陷阱的空间分布。测量得到的功率谱密度（PSD）呈现出1/f型，这是由于通道载流子与栅介质之间的捕获和解捕。值得注意的是，垂直于β-Ga₂O₃和Al₂O₃界面的陷阱的垂直分布被映射出来。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108882