【国际论文】利用光浮区技术生长的纯净和掺杂锡的 β-Ga₂O₃ 单晶的光学特性

        近期，由印度英迪拉·甘地原子能研究中心的研究团队在学术期刊《Journal of Crystal Growth》发布了一篇名为Optical properties of pure and Sn-doped β-Ga₂O₃ single crystals grown by optical float zone technique（利用光浮区技术生长的纯净和掺杂锡的β-Ga₂O₃ 单晶的光学特性）的文章。

摘要

        利用光学浮区技术生长了非掺β-Ga₂O₃单晶和Sn掺杂的β-Ga₂O₃单晶，并对其发光和闪烁性质进行了全面研究。通过Laue衍射图案确定了生长的非掺β-Ga₂O₃和Sn:β-Ga₂O₃晶向为（100），并使用单晶X射线衍射确认了其单斜晶体结构。X射线诱导的发光光谱显示最大发射峰在365 nm处。在UV-Vis-NIR透射光谱中观察到的截止波长约为258 nm，光学带隙从中计算出为4.64 eV。记录了室温拉曼光谱，并对各种振动模式进行了研究。对经X射线辐照的晶体进行了低温（10至300 K）和高温（325至675 K）热释光（TL）测量，并计算了其TL动力学参数，如激活能（eV）和频率因子（S）。对非掺和Sn掺杂晶体在¹³⁷Cs γ射线激发下进行了闪烁衰减时间剖面的测量。计算出Sn:β-Ga₂O₃晶体在²⁴¹Am辐射源的α粒子激发下的闪烁光输出为2300 Ph/5.5 MeV。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127676