【会议论文】CSPSD2024分论坛1：聚焦硅基、化合物功率器件设计及集成应用发展

南方科技大学助理教授赵骏磊 《Ga-O原子间势函数及其应用研究》 

        南方科技大学助理教授赵骏磊做了“Ga-O原子间势函数及其应用研究”的主题报告，由于Ga-O成键复杂度高，缺乏准确的原子间势函数，Ga-O-N体系以及相对更为成熟的Ga₂O₃体系的现有计算仿真研究均局限于针对百原子级的第一性原理计算。然而万原子级以上的大尺度计算体系对揭示原子级动力学机理至关重要。重点介绍本团队开发的Ga-O原子间势函数，该势函数适用于多相态共生体系的大尺度模拟研究，对深入探索Ga₂O₃生长调控机制、重要结构特性具有重要研究意义，也为进一步探索Ga-O-N体系提供所必须的研究基础。

中国电子科技集团公司第十三研究所工程师韩仕达 《高功率氧化镓肖特基二极管研究》

        中国电子科技集团公司第十三研究所工程师韩仕达做了“高功率氧化镓肖特基二极管研究”的主题报告,分享了最新研究成果。高功率氧化镓肖特基二极管具有高开关速度、低导通电阻、高温稳定性、高功率密度、低漏电流和快速开发周期等诸多优点，在高频、高功率密度和高温度的功率电子应用中具有广泛的应用前景。

西安电子科技大学博士后王晨璐 《高压大功率氧化镓晶体管研究》

        西安电子科技大学博士后王晨璐做了“高压大功率氧化镓晶体管研究”的主题报告，分享了相关研究成果与进展。高压大功率氧化镓晶体管（Ga₂O₃ HEMT）具有许多优异的性能特点，适用于多种高功率和高压应用场景。