会员风采
【会员风采】会员单位 —— 山东力冠微电子装备有限公司
日期：2024-05-21阅读：462
公司介绍
山东力冠微电子装备有限公司成立于2013年，同年6月正式成为中国电子专用设备工业协会会员；2018年11月，被山东省科技厅认定为“高新技术企业”；2019年3月被第三代半导体产业技术创新战略联盟评为副理事长单位，同年9月荣获中国创新创业大赛·国际第三代半导体专业赛优胜奖；2022年、2023年分别被山东省工信厅认定为“创新型中小企业”与“专精特新中小企业”；被全世界第二大硅片生产商台湾环球晶圆股份有限公司董事长亲自签名颁发“优秀供应商奖”。公司产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺装备，均拥有自主知识产权，完全自主可控，被广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。已成为一家集研发、生产、销售为一体的半导体材料工艺装备制造商。
1、技术创新
山东力冠作为专业半导体设备制造商，公司产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺装备，可提供完整的材料工艺包。主要代表产品有PVT单晶生长设备、HVPE单晶生长设备、8寸/12寸立式氧化扩散设备、SiC高温氧化/退火设备等系列产品。全套生产工艺的稳定性、均匀性均达到国际领先水准。均拥有自主知识产权，完全自主可控。
公司技术力量雄厚，截至目前，已通过授权专利30个，其中，发明专利4个。
公司产品被广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。设备拥有完全自主知识产权，可实现真正国产替代。半导体产品出口台湾、韩国、新加坡、俄罗斯等地区，可打破以美日等国外企业为主的技术垄断。
经过十年的发展，已成为一家集研发、生产、销售为一体的半导体材料工艺装备制造商。
2、人才引进
技术团队由宋德鹏总经理领衔：研发团队、技术团队、材料工艺团队骨干均来自日本、台湾等知名半导体企业。公司十分注重人才引进，拥有各类专业技术人员，其中博士及以上学历研发人员占比超过25％。
3、校企合作
作为一家国家高新技术企业，公司常年与国内知名半导体企业及知名高校及科研院所保持密切合作。
依托山东力冠产业、技术、人才优势，建立健全完善的人才选拔、培养机制，完善人才激励机制，注重高素质人才培养。实现高校毕业生职业能力与企业岗位需求之间无缝对接，切实做好企业人才培养和梯队建设工作，真正培养出实践能力强、具有探索创新精神的高素质技术技能人才。
4、未来规划
1.支持第四代半导体设备专项技术攻关。
打好关键核心技术攻坚战，聚焦5G通信、人工智能、汽车电子、云计算等战略性产业领域应用需求，围绕第四代半导体制造设备开展关键核心技术攻关。加强发明专利、商标、软件著作权等知识产权的保护和应用。
充分利用济南市半导体领域要素资源优势，紧抓半导体产业新机遇，搭建涵盖半导体领域企业、科研院所、政府部门、公共服务机构以及整机制造企业等的半导体领域专业化交流沟通和公共服务平台，建立产业链利益共同体，逐步打造整机系统与集成电路产品共生的产业生态圈。构建“技术研发+成果转化+产业应用”区域协同创新体系。遵循“产业链技术递增，价值链逐步提升”的原则，全力打造区域有影响力的半导体产业发展高地。
2.强化与高水平科研院所合作，加大创新载体建设
加强境内外企业、科研院所之间的合作交流，联合建设高水平的研发中心、生产中心、运营中心。持续推进与高水平科研院所合作创新，建设院士工作站、博士后工作站等半导体设备制造领域政产学研协同创新平台，围绕半导体装备制造领域，形成多平台、宽领域共同推进创新的局面。努力打造成为先进制造科学与技术领域国内一流、国际高端的战略科技创新平台。致力于成为一家充满活力的高端设备供应商和新材料制备工艺服务商，助推中国半导体行业高质量发展，为科技进步和经济发展做出更大的贡献。
主营产品介绍
（一）化合物晶体设备
1.HVPE单晶生长设备（卧式/立式）
产品概述
（1）用于氮化镓（GaN）单晶生长
（2）用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AIN）、磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等外延生长
产品特点
基础工艺包
（1）氮化镓（GaN）单晶生长尺寸：2英寸
（2）单晶生长速率≥50微米/小时
（3）蓝宝石衬底外延生长氮化镓（GaN）单晶层厚度＜200微米。
衬底：2/4/6英寸
数量：1片/多片
结构：立式/卧式结构合理可靠，满足客户多种尺寸衬底、多种操作方式需要
温控：控温精度高，温区稳定性好
安全保护：硬件保护＋软件互锁，安全保护功能完美可靠。
2.PVT单晶生长设备
产品概述
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AIN）单晶生长
产品特点
提供两种工艺包
① 外形包：产出6英寸碳化硅（SiC）单晶，外形不开裂
②工艺包：
晶型：4H
电阻率：0.015～0.025ohm·cm
直径：150.25±0.25mm
厚度：≥15mm
微管密度：≤3ea/cm2
TSD: ＜1000ea/cm2
温度最高可达2400℃
加热方式：感应、电阻
衬底尺寸：4/6/8英寸
3.晶体提拉设备
产品概述
直拉法晶体生长专用设备，可实现在高压、真空和保护气氛下直拉生长晶体。
采用自动称重结构，在保证晶体品质的前提下，实现了直拉晶体的自动生长过程。
产品特点
高精度的传感器和控制软件
自动控制晶体外形
最高温度:2400℃
晶体尺寸:2-8英寸
应用范围
应用于氧化镓(Ga2O3）单晶生长，SiC单晶、激光单晶等生长
4.SiC籽晶粘接设备
产品概述
籽晶的粘接工艺技术是将SiC籽晶通过有机胶粘接在石墨上。提高籽晶粘接质量是保证高品质SiC晶体生长的首要前提。
5.MPCVD设备
产品概述
微波等离子化学气相沉积技术(MPCVD)，通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量金刚石单晶和多晶薄膜。
6.坩埚下降设备
产品概述
主要用于4-8英寸砷化镓、磷化铟等化合物单晶生长。
设备由机架、安瓿支撑机构、加热器和控制系统组成。
能够实现安瓿移动和转动的精确控制。
7.石墨烯薄膜CVD设备
产品概述
本系统是一套完备的石墨烯制备系统，包括硬件和软件部分。
工作在常压气氛或真空条件，通过控制生长工艺，既可以生长出六边形的石墨烯单晶，也可以生长出花瓣状的石墨烯的单晶。
8.石墨烯卷对卷设备
产品特点
石墨烯薄膜产业化设备
宽幅卷对卷连续生长
APC系统:真空蝶阀自动控制
碳源等工艺气体MFC控制
薄膜制备过程全自动控制
三腔室结构
（二）先进半导体炉管
1.SiC高温氧化设备
产品概述
专门用于硅-碳化合物(SiC）的氧化处理，可实现SiC片在高温环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用O2，O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性气体氧化炉。
设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节。
加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度。
2.SiC高温退火设备
产品概述
专门用于硅-碳化合物(SiC)的离子激活和退火处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成活性工艺。
设备适用于SiC基功率器件制造中的离子激活和退火工艺环节。
加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度。
3.LPCVD炉管（立式）
产品概述
LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一，主要用于多品硅、掺杂多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长。
立式LPCVD采用钟罩式结构，设计嵌套腔体机械手传片组件、舟旋转组件，具有占地面积小、成膜均匀性高、工艺。
稳定性高等优点。
4.LPCVD炉管(卧式)
产品概述
LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一，主要用于多晶硅、掺杂多晶硅、氮化硅、氧化硅簿膜的生长。
5.PECVD（立式/卧式）
产品概述
PECVD主要应用于氧化硅(SiO2）和氮化硅(Si3N4）材料的簿膜生长。
6.氧化/扩散/合晶炉管
产品概述
该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺。
主要用于初始氧化层、氧化层、牺牲氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺。
7.真空退火设备
产品概述
主要用于半导体器件退火及烧结等工艺，可进行真空、气体保护等。
设备结构新颖，操作方便。
在一台设备上可以完成多个工艺流程。
