【国内论文】Ga₂O₃ 的五种不同相（α、β、ε、δ 和 γ）的电子传输和光学特性：第一原理研究

        近期，由武汉大学的研究团队在学术期刊《Physica B: Condensed Matter》发布了一篇名为Electronic transport and optical properties of five different phases (α, β, ε, δ and γ) of Ga₂O₃: A first-principles study（Ga₂O₃ 的五种不同相（α、β、ε、δ 和 γ）的电子传输和光学特性： 第一性原理研究）的文章。

摘要

        在过去的十年中，氧化镓（Ga₂O₃）由于其独特的特性，如4.5–4.9 eV的大带隙、约8 MV/cm的高临界电场和高的巴利加优值（BFOM），吸引了众多的研究兴趣，成为一种超宽禁带（UWBG）半导体。已经证明了单极性β-Ga₂O₃器件，如肖特基势垒二极管（SBDs）和场效应晶体管（FETs）。最近，人们越来越关注开发基于β-Ga₂O₃的异质结构和异质结，这主要是由于缺乏p型掺杂以及探索多维设备架构以增强功率电子器件性能。本文将回顾β-Ga₂O₃功率电子异质结构和异质结的最新进展，包括NiO_x/β-Ga₂O₃、β-(Al_xGa_1−x)₂O₃/β-Ga₂O₃以及β-Ga₂O₃与其他宽禁带和超宽禁带材料的异质结/异质结的集成和二维材料与β-Ga₂O₃的集成。文章将提供这些异质结构和异质结的沉积、制备和工作原理以及相关器件性能的讨论。这篇全面的综述将作为材料科学、宽禁带和超宽禁带半导体以及功率电子领域研究人员的重要参考，有助于未来β-Ga₂O₃基异质结构和异质结以及相关功率电子的研究和开发。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.415888