【国际论文】在氧气或氩气环境中合成的纯 β-Ga₂O₃-In₂O₃ 固溶体和掺杂 Mg²⁺ β-Ga₂O₃-In₂O₃ 固溶体的晶体结构、发光和电导率

        近期，由乌克兰利沃夫国立伊万弗兰科大学的研究团队在学术期刊《Materials》发布了一篇名为Crystal Structure, Luminescence and Electrical Conductivity of Pure and Mg²⁺-Doped β-Ga₂O₃-In₂O₃ Solid Solutions Synthesized in Oxygen or Argon Atmospheres（在氧气或氩气环境中合成的纯 β-Ga₂O₃-In₂O₃ 固溶体和掺杂 Mg²⁺ β-Ga₂O₃-In₂O₃ 固溶体的晶体结构、发光和电导率）的文章。

        使用高温固态化学反应方法合成了未掺杂和掺杂Mg²⁺的β-Ga₂O₃-20% In₂O₃固溶微晶样品，以研究本征缺陷对结构、发光和电学性质的影响。合成过程涉及通过在氧气或氩气气氛中合成样品来改变氧分压。X射线衍射（XRD）分析证实了样品的单斜结构，晶格参数和晶胞体积与(Ga_1−xIn_x)₂O₃固溶系列的一般趋势相符。对所有样品具有从1.5到3.5 eV的宽发射光谱。发光光谱显示了紫色、蓝色和绿色发射基带。发光强度发现取决于合成气氛。氩气合成气氛导致紫色发光增加，绿色发光减少。在激发光谱中呈现出约4.5和5.0 eV的强带和约3.3 eV的低强度带。样品的电导率也取决于合成气氛。在氧气气氛中获得的高电阻样品表现出约0.98 eV的激活能。在氩气气氛中合成的样品显示出几个数量级更高的电导率，激活能为0.15 eV。结果表明，合成气氛对未掺杂的β-Ga₂O₃-In₂O₃固溶样品的发光和电学性质具有关键性影响，为各种光电应用提供了潜在的可能性。

论文原文：https://doi.org/10.3390/ma17061391