【国际论文】光学浮区生长氧化镓肖特基势垒二极管的研究

        近期，由印度科学学院的研究团队在学术期刊Semiconductor Science and Technology发布了一篇名为Study of optical float-zone grown gallium oxide Schottky barrier diode（光学浮区生长氧化镓肖特基势垒二极管的研究）的文章。

摘要

        以 Ni/Au 作为肖特基接点，Ti/Au 作为欧姆接点，制备了基于 β-Ga₂O₃ 的横向肖特基势垒二极管。掺杂锡的β-Ga₂O₃ 样品是通过光学浮区法生长的。研究了用于介质隔离的沟槽对击穿电压的影响。就内置电势而言，该器件显示出接近理想的特性。提取了寄生串联电阻和并联电阻，并确定了其与温度的关系。利用热离子发射模型、普尔-弗伦克尔传输模型和福勒-诺德海姆隧穿机制，演示了随温度变化的反向漏电流建模。从偏置和温度依赖性的角度解释了提取相关参数的程序。在很宽的偏置和温度范围内，组合模型与实验数据显示出极好的一致性。最大电场为 2.3 MV cm^-1。

原文链接：https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad3d03