【国际论文】通过雾状化学气相沉积外延生长的高质量 Cr₂O₃ - Ga₂O₃ 固溶体薄膜

        近期，由俄罗斯Perfect Crystals LLC的研究团队在学术期刊Journal of Alloys and Compounds发布了一篇名为High-quality Cr₂O₃ - Ga₂O₃ solid solutions films grown by mist-CVD epitaxy（通过雾状化学气相沉积外延生长的高质量 Cr₂O₃ - Ga₂O₃ 固溶体薄膜）的文章。

摘要

        采用改进的雾化化学气相沉积（mist-CVD）技术，在三种不同的镓浓度下生长了微米厚的(Cr_1-xGa_x)₂O₃ 固溶体层。使用扫描电子显微镜（SEM）和 X 射线衍射（XRD）方法分析了薄膜的质量。结果表明，样品具有良好的结晶性、均匀性和凝聚性。通过对XRD数据应用Vegard定律进行固溶体含量估算，结果显示最高的Cr：Ga比例约为1：1。固溶体的透射光谱表明随着镓含量的增加，吸收边缘会发生蓝移。光带隙从未掺杂的Cr₂O₃样品的3.06 eV增加到具有最高镓浓度膜的3.73 eV。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.174687