【国际论文】具有强大活性表面PECVD β-Ga₂O₃膜的气敏性

        近期，由俄罗斯托木斯克国立大学的研究团队在学术期刊Materials Chemistry and Physics发布了一篇名为Gas sensitivity of PECVD β-Ga₂O₃ films with large active surface（具有强大活性表面PECVD β-Ga₂O₃膜的气敏性）的文章。

摘要

        本文详细研究了首次通过等离子增强化学气相沉积（PECVD）合成的Ga₂O₃薄膜对环境和工业相关气体的气敏特性。在PECVD过程中添加少量N₂能够降低Ga₂O₃材料固有的高电阻，并提高其对气体敏感性。PECVD-Ga₂O₃薄膜对H₂、O₂和NH₃表现出高响应度，最大响应温度分别为600°C、700°C和350°C。在这些温度下，Ga₂O₃薄膜对1 vol % H₂、40 vol % O₂和1 vol % NH₃的响应分别为400.73 %、480.22 %和335.35 %。暴露在H₂时，薄膜的响应和恢复时间分别达到了7.6s和31.0s。文章提出了PECVD-Ga₂O₃薄膜气敏效应的合理机制。因此，PECVD合成的Ga₂O₃薄膜在开发高温工作、高速性能的H₂和O₂传感器方面展示了巨大的潜力。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2024.129430