【国际论文】Au催化氧化镓纳米线的生长与表征

        氧化镓是一种功能强大、用途广泛的宽禁带半导体，近年来因其在电力电子器件中的应用而越来越受到科学界的关注。在本研究中，利用气-固-液法在硅片、熔融石英和氧化镓薄膜衬底上实现了β-氧化镓（Ga₂O₃）纳米线的生长。在一个被环境大气洗净的室内，纯镓被加热产生镓蒸汽，然后被气体背景中微量氧气杂质氧化，从而在衬底上形成氧化镓纳米线，在垂直管式炉内。在硅片衬底上，通过透射电子显微镜观察到β-Ga₂O₃纳米线沿着特定的晶体学方向生长。所得到的纳米线高度表面，且在纳米线的金催化剂“帽子”上具有独特的多面体结构。对生长时间和氧含量的研究是在不同衬底上生长的纳米线上进行的。

原文链接：https://doi.org/10.1557/s43580-024-00843-y