【国际论文】教程： 通过红外光谱和理论揭示 β-Ga₂O₃ 中 O-H 中心的微观特性

        近期，由美国理海大学的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为Tutorial: Microscopic properties of O–H centers in β-Ga₂O₃ revealed by infrared spectroscopy and theory（教程： 通过红外光谱和理论揭示 β-Ga₂O₃ 中 O-H 中心的微观特性）的文章。

摘要

        β-Ga₂O₃作为一种超宽带隙半导体，在下一代高功率、深紫外和极端环境器件中的应用备受关注。氢杂质已被发现对β-Ga₂O₃的电学性质具有很强的影响。本教程是关于从振动性质方面了解β-Ga₂O₃中 O–H 中心的调查。通过红外吸收光谱已经发现了十几种 O–H 中心。理论预测了缺陷结构，其中氢被困在 Ga(1) 空位的分裂配置中，这与实验测得的 O–H 振动光谱的同位素和极化依赖性一致。此外，还发现β-Ga₂O₃中的 O–H 中心在热退火过程中会发生演变，从而产生改变电导率的缺陷反应。虽然在了解β-Ga₂O₃中 O-H 中心的微观性质和反应方面取得了很大进展，但讨论的许多问题仍未得到解答。本教程的一个目的是激发未来的研究，以解决这些难题。