【会员论文】复旦大学研究团队基于β-Ga₂O₃功率二极管的综述

        近期，由复旦大学的研究团队在学术期刊 Materials 发布了一篇名为A Review of β-Ga₂O₃ Power Diodes（β-Ga₂O₃功率二极管综述）的文章。

摘要

        β-Ga₂O₃作为氧化镓中最稳定的结构，能够通过熔融法实现高质量、大尺寸、低成本和可控掺杂的晶片。并且具有4.7-4.9 eV的带隙、8 MV/cm的临界电场强度和高达3444的巴利加优值（BFOM），分别是SiC和GaN的10倍和4倍，显示出在功率器件中具有巨大的潜力。然而，缺乏有效的p型Ga₂O₃限制了双极器件的发展。大多数研究集中在单极器件上，并在近年来取得了突破性进展。本综述主要总结了β-Ga₂O₃功率二极管不同结构的研究进展，并简要介绍了它们的热管理和电路应用。

图 1. β-Ga₂O₃ 不同晶相之间的转变关系

图 2. β-Ga₂O₃（a）晶体结构和（b）单胞示意图