【国内论文】基于银纳米线嵌入式非晶 Ga₂O₃ 薄膜的灵活自供电光电化学型日盲光电探测器

        近期，由重庆师范大学的研究团队在学术期刊Advanced Optical Materials发布了一篇名为Flexible and Self-Powered Photoelectrochemical-Type Solar-Blind Photodetectors Based on Ag Nanowires-Embedded Amorphous Ga₂O₃ Films（基于银纳米线嵌入式非晶 Ga₂O₃ 薄膜的灵活自供电光电化学型日盲光电探测器）的文章。

摘要

        开发柔性电子元件来探测日盲区深紫外线（UV-C），为新兴技术带来了巨大的发展前景。本文以简单、低成本的方式，在铟锡氧化物涂层聚萘乙酸乙二醇酯（ITO/PEN）衬底上以一步法溅射非晶氧化镓（a-Ga₂O₃）薄膜为基础，展示了用于自供电日盲紫外-C 光传感的柔性光电化学光电探测器（PEC-PDs）。在ITO/PEN衬底上表面功能化银纳米线（Ag NWs）成功嵌入a-Ga₂O₃薄膜中，显著提高了光电性能。纳入Ag NWs降低了电荷转移电阻和势垒，同时增强了Ag NWs/a-Ga₂O₃界面处的内建电场，协同促进了有效的电子传输。因此，经过Ag NW修饰的PEC-PDs在254 nm照射下的关键指标，包括响应度（11.23 mA W^-1）和响应时间（0.07/0.09 s上升/衰减），相比原始器件增加了约两倍。此外，经过Ag NW功能化的PEC-PDs表现出出色的机械柔韧性和疲劳耐久性，在500次弯曲循环后仍保持了初始光响应电流和响应度的约95%。这项工作通过巧妙的光阳极工程为设计高性能柔性自供电PEC-PDs提供了宝贵的见解。

原文链接：https://doi.org/10.1002/adom.202400116