【国际论文】激光损伤 β-Ga₂O₃ 的光致发光成像

        近期，由美国华盛顿州立大学的研究团队在学术期刊MRS Communications发布了一篇名为Photoluminescence mapping of laser-damaged β-Ga₂O₃（激光损伤 β-Ga₂O₃ 的光致发光成像）的文章。

摘要

        利用光致发光（PL）成像技术研究了由1064 nm激光脉冲引起的β-Ga₂O₃外延层损伤。确定了本征紫外波段的强度和位置，并绘制成伪彩色图像显示。识别出两种类型的损伤：圆形损伤和裂纹损伤。圆形损伤显示出比周围材料更低的紫外可见光强度，颜色中心在损伤区域周围形成 "光晕"。损伤裂纹与 a 轴和 c 轴对齐，显示出比未损坏材料更高的紫外可见光强度。紫外波段能量的变化揭示了未加工材料中的缺陷。

原文链接：https://doi.org/10.1557/s43579-024-00564-1