【国际论文】用于电子器件应用的 Ga₂O₃ 纳米粒子的合成与表征

        近期，由印度 Vidyavardhaka 工程学院的研究团队在学术期刊Inorganic Chemistry Communications发布了一篇名为Synthesis and characterization of Ga₂O₃ nanoparticles for electronic device applications（用于电子器件应用的 Ga₂O₃ 纳米粒子的合成与表征）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）具有4.5至4.9 eV的带隙，使其成为各种器件应用的有潜力的半导体。通过溶液燃烧法合成了Ga₂O₃纳米颗粒，以研究其结构、电学、介电和弹性机械性能。利用X射线衍射数据进行了Rietveld结构精修，表明合成的β-Ga₂O₃属于单斜晶系，其晶格参数为a = 12.22 Å，b = 3.04 Å，c = 5.81 Å，β = 103.85°。通过Scherrer公式确定其晶粒大小为36 nm。通过第一性原理计算确定并绘制了沿三维晶体轴的晶粒尺寸。利用6 × 6张量矩阵和ELATE，弹性模量计算显示各向同性的线性压缩性，而其他模量表现出各向异性行为。研究了样品在50 Hz至5 MHz频率范围内，不同温度下的介电性能，如电容、介电常数、介电损耗和交流电导率。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.inoche.2024.112562